Department of Micro- and Nanoelectronics, National Research Nuclear University MEPHI, 115409, Kashirskoe sh., 31, Moscow, Russia;
机译:金属氧化物-石墨烯场效应晶体管:界面陷阱密度提取模型
机译:研究金属/高k $半导体器件在不同参数下以及有无界面状态密度(陷阱)时的电容特性
机译:不同参数金属/高k半导体器件电容特性的研究,但没有界面状态密度(陷阱)
机译:石墨烯场效应装置中使用电容方法进行接口陷阱电平密度提取
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:金属氧化物-石墨烯场效应晶体管:界面陷阱密度提取模型
机译:石墨烯场效应器件中的界面陷阱:提取方法和 对特征的影响