Efficiency; High Voltage; MOSFET; Superjunction; Trench; UIS;
机译:沟槽底部屏蔽区对4H-SiC双沟道MOSFET开关特性的影响
机译:具有屏蔽鳍状栅极的SiC沟槽MOSFET,可减少氧化场和开关损耗
机译:带有埋地p〜+区域的V型沟槽沟槽栅极SiC MOSFET的开关性能
机译:具有掩埋场环的新型沟槽屏蔽MOSFET,可实现可调开关并提高耐用性
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:异结二极管屏蔽SIC分流栅极沟槽MOSFET,具有优化的反向恢复特性和低开关损耗
机译:提高用于高重复频率,短脉冲,高功率脉冲发生器的功率mOsFET的开关性能