Charge Trapping; Current Collapse; GaN; HEMT; Packaging; SBD;
机译:AlGaN / GaN HEMT中的中性束工艺:对电流崩塌的影响
机译:沟道热电子对AlGaN / GaN HEMT中电流崩塌的影响
机译:水分和碳氟化合物钝化对AlGaN / GaN HEMT电流崩塌的影响
机译:背面电势对GaN SBD和HEMT的电流崩塌的影响
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模,在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:用于减少alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)中电流崩塌的表面钝化膜的比较