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公开/公告号CN105118830B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-14
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201510483325.4
发明设计人 陈万军;王泽恒;刘丽;胡官昊;李建;周琦;张波;
申请日2015-08-03
分类号
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 10:14:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-14
授权
2015-12-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/06 申请日:20150803
实质审查的生效
2015-12-02
公开
机译: HBT,耗尽型HEMT和增强型HEMT的单片集成的结构和方法
机译: 一种基于gan的增强型hemt设备的制备方法
机译: 一种制造电子迁移率提高的HEMT晶体管和HEMT晶体管的方法
机译:具有集成SBD的新型GaN HEMT的数值研究超高反向传导能力
机译:在220-GHz带,16 QAM 45-Gbps 7-M无线链路使用INP HEMT LNA和GAAS SBD混合器
机译:用续流肖特基势垒二极管(SBD)开关瞬态分析和表征E模式B掺杂GaN-Cappe Algan Dh-Hemt
机译:用多通道异质结SBD结构集成GaN MIS-HEMT
机译:用于高压开关应用的增强型氮化镓基HEMT。
机译:使用超临界技术制造具有高阈值电压稳定性的全GaN集成的MIS-HEMT
机译:抑制增强型P-GaN HEMTS对200毫米GAN-ON-SOI进行单片集成的电阻效应
机译:增强型功率开关alGaN HEmT。