Aluminum gallium nitride; Aluminum oxide; Gallium nitride; HEMTs; III-V semiconductor materials; Logic gates; Threshold voltage;
机译:具有AlN界面层的Al 2 sub> O 3 sub> / AlN / GaN MOS沟道HEMT
机译:HFO
机译:利用薄AlN界面层研究MOVPE生长的AlGaN / AlN / GaN HEMT结构中迁移率的提高
机译:Al
机译:用于RF功率应用的常压ALN / GAN MOSHEMTS的设计和制造
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:插入在两个AlN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响