Hong Kong University of Science and Technology (Hong Kong).;
机译:使用AlN / SiN作为钝化层和栅后凹槽沟道保护层,具有提高的沟道迁移率和动态性能的栅凹槽常关GaN MOSHEMT
机译:面向常关AlN / GaN MOSHEMT的氧化物界面电荷工程
机译:常态AlN / GaN MOSHEMT直流特性的依赖于接口DOS的分析模型开发
机译:p-GaN三栅常关GaN功率MOSHEMT的研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:温度稳定性研究的Algan / GAN常关型高电子迁移率晶体管的设计,仿真和制造