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【24h】

Niナノインクを用いて印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価

机译:使用Ni纳米油墨印刷形成N-GaN射击键接触的二维评估

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摘要

プリンテッドエレクトロニクス(PE:Printed Electronics)は,金属微粒子を含有したインクの塗布と焼結により導電膜を形成する手法である.我々はGaN結晶に電極を大面積で、安価に形成する技術としてのPE適用を検討している[1].本研究では,界面顕微光応答法(SIPM:Scanning Internal Photoemission Microscopy)[2]を用いてn-GaN上に印刷法で形成したNiショットキー電極の二次元評価を行った結果を報告する.
机译:印刷电子(PE)是通过涂覆和烧结含有金属细颗粒的墨水形成导电膜的方法。 我们正在考虑PE应用作为在GaN晶体中形成具有大面积的电极的技术[1]。 在这项研究中,我们通过界面膜微量小扫描方法(SIPM:扫描内部光曝光显微镜)报告了通过N-GaN上的印刷方法形成的Ni射击键电极的二维评价结果[2] [2]。

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