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使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及使用非接触印刷来形成该掺杂区域的含掺杂剂的墨水

摘要

提供一种使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及一种用于使用非接触印刷工艺形成该掺杂区域的含掺杂剂墨水。在一个示例性实施方案中,提供一种在半导体衬底中形成掺杂区域的方法。该方法包括提供包含既定导电类型掺杂剂的墨水,使用非接触印刷工艺将墨水施加至半导体衬底,以及使半导体衬底经受热处理,以使得既定导电类型掺杂剂扩散进入半导体衬底。

著录项

  • 公开/公告号CN101965628A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 霍尼韦尔国际公司;

    申请/专利号CN200980102659.5

  • 发明设计人 R·Y·梁;D·周;W·范;

    申请日2009-02-24

  • 分类号H01L21/265(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人刘锴;林毅斌

  • 地址 美国新泽西州

  • 入库时间 2023-12-18 01:39:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-23

    授权

    授权

  • 2011-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/265 申请日:20090224

    实质审查的生效

  • 2011-02-02

    公开

    公开

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