法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-23
授权
授权
2011-03-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/265 申请日:20090224
实质审查的生效
2011-02-02
公开
公开
机译: 使用形成半导体基板的掺杂区域的非接触的印刷方法,使用方法和非接触的印刷方法,形成捕捉到的掺杂区域的掺杂剂含量墨水
机译: 使用非接触印刷工艺在半导体基体中形成掺杂区的方法和使用非接触印刷工艺形成此类掺杂区的掺杂剂墨
机译: 使用非接触印刷工艺在半导体基体中形成掺杂区的方法和使用非接触印刷工艺形成此类掺杂区的掺杂剂墨