首页> 外文会议>Conference on Silicon Carbide and Related Materials >Progress in High Voltage SiC and GaN Power Switching Devices
【24h】

Progress in High Voltage SiC and GaN Power Switching Devices

机译:高压SiC和GaN电源开关装置的进展

获取原文

摘要

The present status of the development and commercialization of SiC and GaN power devices for power electronics applications is presented. The technology obstacles and needs as well as future trend in these power devices are also discussed.
机译:提出了用于电力电子应用的SiC和GaN电源装置的现状和商业化状态。还讨论了技术障碍和需求以及这些功率设备的未来趋势。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号