机译:高压SiC和GaN功率开关器件的研究进展
Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180-3590, U.S.A.;
4H-SiC; 2H-GaN; power rectifiers; power transistors;
机译:基于GaN和LED驱动器的GAN和SIC器件的高压低功耗开关电容器DC-DC转换器
机译:硅以外的电源开关应用:SiC和GaN器件的现状和未来展望
机译:GaN,SiC Tout作为下一代功率开关器件
机译:高压SiC和GaN电源开关装置的进展
机译:基于SiC和GaN器件的超快速开关电源电路的EMI建模和表征。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:SiC / GaN功率半导体器件:不同开关条件下的理论比较和实验评估
机译:使用碳化硅(siC)交付订单开发高温,高功率,高效率,高压转换器订单0003:siC高压转换器,用于siC功率器件的N型欧姆合同开发