silicon carbide (SiC); smart power; emitter-coupled logic (ECL); integrated circuits; high temperature; High-temperature integrated circuits (ICs); SiC ICs;
机译:高性能4H-SiC发射极耦合逻辑电路的建模
机译:发射极耦合逻辑(ECL)电路中桥接故障的建模和分析
机译:在先进的窄发射极双极电路中,由于外在基极的侵入而导致性能下降。二。非阈值逻辑电路
机译:高性能4H-SIC发射器耦合逻辑电路建模
机译:用于集成电路设计的4H-SiC低压MOSFET的建模和验证。
机译:机械上灵活的高性能CMOS逻辑电路
机译:提高亚阈值源耦合逻辑电路中的电源延迟性能
机译:双极ECL / EFL(发射极耦合逻辑/发射极 - 跟随器 - 逻辑)电路的延迟建模