MOSFET; CNTFET; Temperature; Oxide thickness; Threshold voltage;
机译:碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)装置中短沟道效应(SCE)电特性的性能分析
机译:氧化物厚度对栅极电容的影响— MOSFET,纳米线FET和CNTFET器件的综合分析
机译:高k栅极电介质和低温对纳米CNTFET性能的影响
机译:温度变化对CNTFET器件特性的影响
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:冲击载荷下高温下玄武岩纤维混凝土的分形特征和耗能研究
机译:具有高k电介质的N型结纳米线晶体管电气特性对装置参数变化的影响
机译:利用磁性材料特性变化作为温度函数的可能性研究。 Etude et possibilites Dutilisation des Variations des Caracteristiques des materiaux magnetiques en Fonction de la Temperature