表面実装型集積化MEMSのためのレーザー消去CMOS-LSIマルチプロジェクトウェハへの深いTSVの作製

摘要

MEMSとCMOS-LSIとのウェハレベル接合による集積化が，デバイスの小形化や高性能化のため，益々重要になっている。このとき，TSV（Trough Si Via）を用いることで，ワイヤボンドパッド数の削減による小形化，寄生容量の低減による高性能化などが，より一層可能になる。我々は，TSVを用いたMEMSとCMOS-LSIとのウェハレベル集積化を，ロボット用ネットワーク触覚センサに適用する開発を行っている。MEMSと集積化するCMOS-LSIウェハは，機械的強度を確保するために数百μmの厚さを必要とすることが多く，これは触覚センサにも当てはまる。したがって，CMOS集積化MEMS用のTSVは，積層メモリのそれと異なり，数百μmと深いことを1つの特徴とする（図1参照）。それに加えて，MEMSには気密封止が必要なので，TSVの気密性も求められる。