机译:表征n沟道4H-SiC MOSFET传输特性的霍尔因子计算
机译:4H-SiC MOSFET中反型层载流子浓度和霍尔迁移率的温度依赖性
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机译:n沟道4H-SiC MOSFET中霍尔因子的温度依赖性
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:量子霍尔电阻标准中霍尔的温度依赖性和纵向电阻
机译:v亚阈值滞后技术和商业4H-SIC MOSFET中的温度依赖性
机译:N沟道功率mOsFET中单事件烧毁的温度依赖性