机译:4H-SiC MOSFET中反型层载流子浓度和霍尔迁移率的温度依赖性
Cree, Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703;
Physics Department, Auburn University, Auburn, AL 36849;
Physics Department, Auburn University, Auburn, AL 36849;
Cree, Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703;
Cree, Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703;
4H-SiC MOSFET; hall measurements; mobility; carrier concentration; trapping; band- tail states; thermally activated;
机译:具有大密度界面状态的MOS反转层中载波散射的建模及4H-SIC MOSFET中的电子霍尔迁移率模拟
机译:具有热生长栅极氧化物的4H-SiC MOSFET反转层中的霍尔效应迁移率
机译:具有超低净掺杂浓度的4H-SiC(0001)MOSFET的反向沟道中的理想声子散射限制迁移率
机译:4H-SIC MOSFET中反型层载流子浓度和霍尔迁移率的温度依赖性
机译:单层和少层石墨烯自旋阀的制造和表征导致自旋弛豫长度以及自旋电压对载流子浓度的依赖性得到优化。
机译:低温a晶蓝宝石上水热生长ZnO薄膜的高电子迁移率和低载流子浓度
机译:大载流子浓度下无序有机半导体中电荷载流子迁移率的温度依赖性是否符合Meyer-Neldel补偿定律?
机译:重组过程控制低Z sub 1/2浓度的n( - )4H-siC外延层中的载流子寿命