机译:Algan / Aln / GaN / Algan HEMTS对陷阱的反应的2D研究
机译:陷阱中心和深缺陷对硅和蓝宝石衬底上的AlGaN / GaN HEMT的电流不稳定性有贡献
机译:自热和陷阱对AlGaN / GaN HEMT的漏极瞬态响应的影响
机译:缺陷与量子阱状态的相互作用:AlGaN / GaN HEMT中陷阱的静电依赖性响应时间
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:基于AlGaN / GaN的HEMT中二维电子的面内有效质量和量子寿命的确定