4H-SiC; Epitaxy; Carbon (000-1)face; BTMSM source;
机译:使用BTMSM源在4°离轴碳面衬底上进行4H-SiC的低温同质外延生长
机译:在4°离轴基板上低压同质外延生长4H-SiC
机译:在SiH4-C2H4-H2系统中在4°离轴基板上快速4H-SiC膜的同质外延生长
机译:使用BTMSM源4°轴外碳面基板的4H-SiC的低温同性恋生长
机译:高功率器件的低轴外衬底上4H碳化硅的外延生长和表征。
机译:1°偏角的4H-SiC硅面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:Ge介导的低轴4H-SiC衬底上双自由3C-SiC成核和生长的表面制备