机译:p型直拉硅中硼氧缺陷重组特性的统计分析
机译:硅切克劳斯基炉的部分三维整体建模。 Ⅱ。模型应用:横向磁场下的硅直拉炉分析
机译:Czochralski硅晶体生长中W形熔体/晶体界面形成的分析
机译:Czochralski硅生长结构损失统计分析
机译:直拉硅晶体生长:建模和仿真研究。
机译:热化学制氢用涂层碳化硅碳化硅(SiSiC)蜂窝结构的材料分析
机译:连续Czochralski生长的先进方法的开发。用于低成本硅太阳能阵列项目的大面积硅片任务的硅片生长开发。第二季度进度报告,1978年1月1日 - 1978年3月17日
机译:连续的Czochralski增长。开发先进的Czochralski生长工艺,从单坩埚生产低成本150 Kg硅锭,实现技术准备