氧化铜–硅同轴纳米线阵列结构的生长与控制

摘要

氧化铜–硅核–壳纳米线阵列结构被广泛应用于各类传感器和锂离子电池等领域。本文通过阳极氧化法制备了高质量的氧化铜纳米线阵列,系统研究了后退火处理对其表面形貌的影响。通过低压气相沉积,在氧化铜表面生成非晶硅壳层结构,通过扫描电镜和拉曼光谱分析,研究不同沉积时间及在不同浓度的碳和硼掺杂条件下对硅纳米线阵列微观结构的影响。