diffusion length; post-exposure bake; attenuated phase shift mask; chromeless phase lithography;
机译:45 Nm节点无铬衰减衰减相移掩模的最佳偏置
机译:使用无定形Al_2O_3-ZrO_2-SiO_2复合薄膜的ArF线高透射率衰减相移掩模坯料,用于65、45和32 nm技术节点
机译:建议的单层复合膜用作32、45和65 nm技术节点的高透射相移掩模
机译:45 nm节点衰减和无铬相移掩模的酸扩散长度限制
机译:纳米器件的器件建模和电路性能评估:超过45 nm节点的硅技术和碳纳米管场效应晶体管。
机译:多环芳烃的多相反应性受相分离和扩散限制的驱动
机译:低于45nm光刻的无铬相移掩模技术的表征
机译:在厘米和毫米波长下雷达背向散射,衰减和相移计算中熔化层模型的优化