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机译:45 Nm节点无铬衰减衰减相移掩模的最佳偏置
45 nm line and space; chromeless phase lithography (cpl) mask; attenuated phase shift mask (att.psm); optical proximity correction (opc); bias;
机译:使用无定形Al_2O_3-ZrO_2-SiO_2复合薄膜的ArF线高透射率衰减相移掩模坯料,用于65、45和32 nm技术节点
机译:用于100nm以下SOI CMOS晶体管的无铬相移掩模
机译:建议的单层复合膜用作32、45和65 nm技术节点的高透射相移掩模
机译:45纳米节点无铬衰减衰减相移掩模的最佳偏置
机译:纳米器件的器件建模和电路性能评估:超过45 nm节点的硅技术和碳纳米管场效应晶体管。
机译:使用GeneChip®大豆基因组阵列对普通豆(菜豆)进行转录谱分析:通过掩盖有偏向的探针来优化分析
机译:低于45nm光刻的无铬相移掩模技术的表征
机译:具有mask-Lite(商标)的智能45nm铸造CmOs降低了掩模成本。