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トライボナノリソグラフィー(TNL)と化学エッチングを併用した極微細構造形成(第2 報)-高アスペクト比の微細構造形成

机译:用TribonanyshoLyshoght(TNL)和化学蚀刻的微观结构形成(第2次报告) - 高纵横比形成

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摘要

本研究は,トライボナノリソグラフィー(TNL)と化学エッチングを併用した3次元微細構造形成法について検討している.高剛性の加工用カンチレバーを原子間力顕微鏡(AFM)に装着し,単結晶シリコンにナノスケール機械加工を行なうと,加工部でアモルファス層が形成される.この試料をKOH 水溶液でエッチング処理すると,加工部にマスキング作用が発現し,凸状の微細構造を形成できる.さらに,加工条件によりマスキング作用の強弱を変化させることで,3 次元微細構造の作製が可能である.本報では,単結晶シリコン(110)を用いた微細構造形成を行い,その形状の加工条件依存性について検討した.さらに,その結果を応用した高アスペクト比の微細構造形成について検討した.
机译:该研究检查了使用TribonanoLithographic(TNL)和化学蚀刻在一起的三维微观结构形成方法。当高刚性加工悬臂连接到原子力显微镜(AFM)时,在单晶硅上进行纳米级加工,在处理部分中形成非晶层。当用KOH水溶液蚀刻该样品时,掩蔽作用可以在处理部分中表达,并且可以形成凸微结构。此外,通过改变由于处理条件而导致的掩蔽动作的强度,可以产生三维微结构。在本报告中,进行了使用单晶硅(110)的微观结构形成,检查了形状形状的处理条件依赖性。此外,我们检查了施加结果的高纵横比的微观结构形成。

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