公开/公告号CN113140503A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-20
原文格式PDF
申请/专利权人 ASM IP私人控股有限公司;
申请/专利号CN202110035620.9
申请日2021-01-12
分类号H01L21/768(20060101);H01L23/48(20060101);H01L23/528(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人焦玉恒
地址 荷兰阿尔梅勒
入库时间 2023-06-19 11:54:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 专利申请号:2021100356209 申请日:20210112
实质审查的生效
机译: 形成高纵横比开口的方法和形成高纵横比特征的方法
机译: 形成高纵横比开口的方法,形成高纵横比特征的方法以及相关的半导体器件
机译: 在高纵横比通孔上形成籽晶层的方法以及由此形成的具有高纵横比通孔的半导体器件