公开/公告号CN110021550A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201811598464.1
发明设计人 渡嘉敷健;约翰·A·斯迈思;古尔特杰·S·桑胡;
申请日2018-12-26
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2024-02-19 11:55:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20181226
实质审查的生效
2019-07-16
公开
公开
机译: 形成高纵横比开口的方法,形成高纵横比特征的方法以及相关的半导体器件
机译: 形成高纵横比开口的方法和形成高纵横比特征的方法
机译: 在高纵横比特征上形成包括氮化硅的半导体器件的方法