暗視野エバネッセント照明による回路パターン付きSi ウエハ表面異物欠陥検出法に関する研究（第5報）－微細回路パターン表面付着異物の散乱光検出実験

摘要

近年,半導体デバイスの高機能化·多機能化への要求が高まり, 更なる半導体集積回路の微細化が求められている.この半導体工程中で生じる回路パターン表面上の欠陥は歩留まり悪化の直接の原因になっており,歩留まりの向上を図るためにはインプロセスで配線パターン表面上のナノメートルオーダーの微小付着異物を高感度で検出できる手法が強く求められている.しかしながら,配線幅の微細化は急速に加速しており,従来のインライン欠陥検査法の適用は原理的に困難である.そこで本研究では, 従来手法で用いてきた伝搬光とは異なった特性を有するエバネッセント光を利用し,欠陥からの散乱光分布を検出することで, 微小欠陥を検出·評価する高感度ナノ欠陥計測法を提案している.本報では, FIB-etching 加工により作製したpitch が約400nmの擬似回路パターン上の粒径約220nm の付着異物試料を用いて本手法の有効性を検証したので報告する.