輪帯エバネッセント照明による回路パターン付きSiウエハの表面異物欠陥検出法に関する研究（第2報）: 走査欠陥計測法の提案

摘要

半導体集積回路の回路パターン形成プロセスにおいて，各工程中で生じる回路パターン表面上の欠陥は歩留まり悪化の直接の原因になっており，製造デバイスの信頼性を確立し，歩留まりの向上を図るためには，インプロセスで高感度に微小欠陥を検出する能力と欠陥を評価する機能を備えた計測法が必要不可欠である．そこで本研究では，高度な半導体製造プロセス管理を可能にする表面異物欠陥の検出・評価技術の確立を目的とし，従来技術で使用される伝搬光とは異なった特性を有するエバネッセント光に着目した新たなインプロセス欠陥計測法の開発を行っている．前報では，輪帯エバネッセント照明による欠陥検出原理を提案し，検出原理に基づき基礎実験装置を構築した．提案手法の検証実験から，本装置により回路パターン表面上付着異物欠陥によるエバネッセント散乱光の検出を確認し，ナノメートルオーダの検出感度を有する可能性を示唆した．