机译:使用SF_6 / O_2等离子清洁技术减少蚀刻缺陷并优化光刻胶掩膜栅多晶硅蚀刻工艺中的蚀刻配方
机译:为铜双大马士革氧化物蚀刻工艺开发缺陷减少策略
机译:在0.15μm浅沟槽隔离工艺中通过等离子刻蚀减少化学机械抛光缺陷
机译:等离子蚀刻的缺陷减少策略
机译:利用梳状测试结构分析等离子体蚀刻缺陷。
机译:用自蚀刻和蚀刻和冲洗键合策略与通用粘合剂粘合型氯己定叶片对氯己定的影响
机译:减少外延gan层中的位错密度,从而增加了与缺陷相关的刻蚀坑的过度生长
机译:等离子体和离子蚀刻用于失效分析。第2部分。使用Technics Giga Etch 100-E等离子蚀刻系统对塑料封装和其他半导体器件材料进行蚀刻