机译:通过采用新型的氧化物覆盖的硼上坡处理改善具有超低温氮化物隔离层的0.1- / splμm/ m PMOSFET的短沟道特性
机译:通过Sb S / D注入抑制低于0.1 / spl mu / m的n-MOSFET的反向短沟道效应
机译:低于0.1 / splμ/ m薄膜SOI-MOSFET的短沟道效应
机译:具有ISRC(倒置侧壁嵌入式沟道)结构的0.1 / spl mu / m Si MOSFET的特性可减少短沟道效应
机译:具有低接触电阻和改进的栅极控制的晶片尺度制造和表征凹槽PTSE2 MOSFET
机译:控制氧化铝微结构以减少钻石MOSFET中的栅极泄漏
机译:用于减少短通道和热载体效应的电诱导源/漏电区SOI MOSFET的设计考虑因素
机译:超短沟道si mOsFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的电导波动。