用于平面型SiC MOSFET的优化的倒掺杂沟道注入

摘要

公开了一种碳化硅(SiC)平面型晶体管器件，包括：具有顶表面和底表面的第一电荷类型的SiC半导体衬底；形成在SiC半导体衬底的顶表面上的第一电荷类型的SiC外延层，该SiC外延层具有顶表面；形成在SiC外延层的顶表面中的第一电荷类型的源极结构，该源极结构具有顶表面；形成在SiC半导体衬底的底表面上的第一电荷类型的漏极结构；包括栅极氧化物和栅极流道的栅极结构，其中栅极氧化物覆盖源极结构的至少一部分和栅极流道；在竖直方向上位于在栅极结构下方并与该源极结构相邻的第二电荷类型的沟道区，其中沟道区的第二电荷类型的掺杂轮廓线包括第一区和第二区，其中第一区具有在2*e17cm‑3至3*e18cm‑3范围内的恒定掺杂浓度，并且该第一区在竖直方向上位于栅极氧化物下方、具有距SiC外延层的顶表面50nm至250nm之间的深度，并且第二区具有皮尔逊IV型分布掺杂浓度，其中峰值掺杂浓度在1.5*e18cm‑3至8*e18cm‑3范围内，并且该第二区在竖直方向上位于第一区下方并与其相邻，其中皮尔逊IV型分布的峰值位置在距SiC外延层的顶表面300nm至500nm的范围内。