4H-SiC MOSFET 器件新结构及反向恢复特性研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 研究背景与意义

1.2 SiC MOSFET的发展与现状

1.3 集成肖特基二极管的SiC MOSFET

1.4 本文的工作和安排

第二章 SiC MOSFET的工作原理

2.1.1 正向导通特性

2.1.2 阻断特性

2.1.3 体二极管特性

2.2 SiC MOSFET的动态特性

2.2.1 寄生电容与栅电荷

2.2.2 开关过程

2.3 SiC MOSFET体二极管的反向恢复特性

2.4 本章小结

第三章 集成肖特基二极管的槽栅SiC MOSFET

3.1 器件结构与工作机理

3.2 结构参数设计与仿真

3.2.1 外延层对器件性能的影响

3.2.2 槽栅对器件性能的影响

3.2.3 P型保护层对器件性能的影响

3.3 S-TMOS的反向恢复特性研究

3.3.1 S-TMOS的反向恢复过程

3.3.2 各参数对反向恢复特性的影响

3.4 新结构与常规MOSFET的性能对比

3.5 工艺流程设计

3.6 本章小结

第四章 集成肖特基二极管的分裂栅双槽SiC MOSFET

4.1 器件结构与工作机理

4.2 结构参数设计与仿真

4.2.1 槽间距离对器件性能的影响

4.2.2 源极槽P型注入区对器件性能的影响

4.3 电容与开关特性

4.4 反向恢复特性

4.5 工艺流程设计

4.6 本章小结

第五章 结论

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果