机译:用于减少短通道和热载体效应的电诱导源/漏电区SOI MOSFET的设计考虑因素
机译:具有电感应源极/漏极扩展的纳米SOI MOSFET:抑制短沟道效应的新颖属性和设计考虑
机译:短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)UTB SOI MOSFET的阈值电压模型,包括衬底引起的表面电势效应
机译:通过氢/氘同位素效应研究热载流子应力对n沟道MOSFET栅极感应漏极泄漏电流的影响
机译:降低与漏极相关的栅极偏置的双栅极SOI-MOSFET中的短沟道效应
机译:用于深亚微米技术的非升高和升高的源极/漏极p沟道MOSFET的设计,制造和表征
机译:资源条件的短期和长期变化对土壤真菌群落和植物对土壤生物的响应的影响
机译:具有电致源/漏极延伸的纳米级sOI-mOsFET: 抑制短信道的新属性和设计考虑因素 效果
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。