机译:使用磁控反应离子蚀刻(MC-RIE)及其应用于离子阻力集成微泵的氟化聚酰亚胺微电网的制造
机译:深度反应离子蚀刻参数对具有高纵横比极深硅蚀刻工艺蚀刻速率和表面形态的影响:
机译:通过CH_4 / H_2反应离子刻蚀在InP表面亚微米节距光栅中进行选择性刻蚀时,选择性对等离子体条件的依赖性
机译:利用磁控反应离子刻蚀系统进行快速,选择性极强的聚酰亚胺刻蚀
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:通过提高磁导金属化学蚀刻中的蚀刻方向可控性的Si弯曲结构
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