Gallium arsenide; HFET; dummy gate; ion implantation; molecular beam epitaxy;
机译:具有自对准InAlP原生氧化物栅极电介质的0.25-μm栅极长度耗尽型GaAs沟道MOSFET的制备和性能
机译:InAlAs / InGaAs HFET的栅槽制造中与电化学有关的蚀刻的重要性
机译:Si / sub 3 / N / sub 4 /钝化InAlAs / InGaAs / InP HFET的新颖制造工艺
机译:用于GaAs HFET制造的自对准多层电介质“伪门”技术
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:纤维素绝缘聚合物表面ZnO-Al2O3-PTFE多层纳米结构功能膜的制备及其对水分抑制和介电性能的影响
机译:适用于模拟和数字GaAs集成电路的自对准门技术