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王建新; 郑燕兰; 邱建毕; 李存才; 陈自姚; 朱福英; 谭文玲; 李爱珍;
中国科学院上海冶金所;
分子束外延; 砷化镓; 双极晶体管;
机译:MBE在(311)A和(111)A GaAs衬底上通过MBE生长的AlGaAs / InGaAs / GaAs P-HEMTs结构中2DEG密度的增强
机译:Al / AlGaAs和Al / GaAs / AlGaAs(MBE)肖特基势垒的热稳定性
机译:MBE HYBRID的AlGaAs / ZN(MN)SE纳米结构的量子点INAS /的AlGaAs NEAR Heterovalent INTERFACE
机译:AlGaAs-GaAs nHBTs可靠性的物理分析和建模
机译:高功率拟晶AlGaAs / InGaAs高电子迁移率晶体管的材料,物理学,器件物理学和技术。
机译:MBE在(100)和(311)A GaAs衬底上生长的Be掺杂AlGaAs中深层缺陷的电学表征
机译:MBE的增长,AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs(111B)激光器的制造和表征,用于小于1纳米的光发射
机译:气体源mBE在Inp衬底上的Gaas / alGaas电子和InGaas(p)光电子学。
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
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