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The growth of SiGe quantum rings in Au thin films on epitaxial SiGe on silicon

机译:在硅外延SiGe上的Au薄膜中SiGe量子环的生长

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摘要

Self-assembled SiGe quantum rings (QRs) on Si0.8Ge0.2 substrate has been formed by thermal annealing of the samples with capping Au thin films at 1100 8C in N2 ambient. Miniature quantum rings have a narrow distribution of diameter and height of 27.9F1.7 and 1.53F0.10 nm, respectively. The formation of quantum rings was found to be mediated by the Au nanoparticles. As the size of Au nanoparticles can be adjusted, the method promises to be an effective technique to produce high density, uniform in size quantum rings.
机译:通过在N 2环境中1100 8℃下的覆盖Au薄膜的样品,通过热退火形成Si0.8Ge0.2基板上的自组装SiGe0.2衬底上的自组装SiGe量子环(QRS)。微型量子环分别具有窄的直径和高度分别为27.9F1.7和1.53F0.10nm。发现量子环的形成是由Au纳米颗粒介导的。随着Au纳米颗粒的尺寸可以调节,该方法有望成为产生高密度,大小量子环的高密度的有效技术。

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