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The growth of SiGe quantum rings in Au thin films on epitaxial SiGe on silicon

机译:硅外延SiGe上Au薄膜中SiGe量子环的生长

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摘要

[[abstract]]Self-assembled SiGe quantum rings (QRs) on Si0.8Ge0.2 substrate has been formed by thermal annealing of the samples with capping Au thin films at 1100degreesC in N-2 ambient. Miniature quantum rings have a narrow distribution of diameter and height of 27.9 +/- 1.7 and 1.53 +/- 0.10 nm, respectively. The formation of quantum rings was found to be mediated by the Au nanoparticles. As the size of Au nanoparticles can be adjusted, the method promises to be an effective technique to produce high density, uniform in size quantum rings.
机译:[[抽象]]通过在N-2环境中以1100℃覆盖Au薄膜对样品进行热退火,从而在Si0.8Ge0.2衬底上形成了自组装SiGe量子环(QRs)。微型量子环的直径和高度的窄分布分别为27.9 +/- 1.7和1.53 +/- 0.10 nm。发现量子环的形成是由金纳米颗粒介导的。由于可以调节Au纳米颗粒的尺寸,因此该方法有望成为一种生产高密度,尺寸均匀的量子环的有效技术。

著录项

  • 作者

    He JH;

  • 作者单位
  • 年度 2011
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 [[iso]]en
  • 中图分类

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