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一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法

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摘要

本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法，所述方法是首先在硅衬底上生长Si

1. 一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法 [P] . 中国专利： CN104409321B . 2017.05.10
2. 一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法 [P] . 中国专利： CN104392915B . 2017.05.24
3. Method of NiSiGe epitaxial growth by introducing Al interlayer [P] . 美国专利： US8501593B2 . 2013-08-06

机译：通过引入Al中间层外延生长NiSiGe的方法
4. A method of crimping a multilayer material, a method of making a pouch cell pouch using the method of crimping a multilayer material. A method for producing a tempering unit using the method for flanging a multilayer material, pouch cell with a battery bag made of a multilayer material and tempering of a dimensionally stable multilayer material [P] . 德国专利： DE102015108840A1 . 2016-12-08

机译：一种压接多层材料的方法，一种使用压接多层材料的方法制造袋式电池袋的方法。一种使用回火多层材料的方法制造回火单元的方法，具有由多层材料制成的电池袋的袋式电池和尺寸稳定的多层材料的回火
5. Epitaxial growth susceptors, an epitaxial growth apparatus and an epitaxial growth method using the same using the same [P] . 日本专利： JP5697246B2 . 2015-04-08

机译：外延生长感受器，外延生长装置和使用其的外延生长方法