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自组织SiGe量子环的生长与形貌维持

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研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变.从应变的角度解释了量子环的形成机制.研究发现在350℃以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的维持.从动力学的角度解释了低温下覆盖SiGe量子环时其形貌得到维持的原因.

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来源
《半导体学报》 |2006年第z1期|148-150|共3页
作者
李防化; 蒋最敏;
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作者单位

复旦大学应用表面物理国家重点实验室;

上海;

200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室;

上海;

200433;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
量子点; 量子环; SiGe; MBE;

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