...
机译:掩模的边缘效应对分子束外延生长在图案化Si衬底上生长的SiGe薄膜的应变和形貌的影响
Fudan Univ, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China;
Fudan Univ, Dept Microelect, Shanghai 200433, Peoples R China;
silicon-germanium (SiGe); molecular beam epitaxy (MBE); surface morphology; strain; MISFIT DISLOCATION DENSITY; HETEROSTRUCTURES; SI1-XGEX/SI; ELIMINATION; DIFFUSION; REDUCTION; EPILAYERS; PHONONS; SILICON; SURFACE;
机译:埋入式低温AlN应变弛豫层对(110)Si衬底上通过氨分子束外延生长的GaN薄膜的应变状态和缓冲特性的影响
机译:超薄AlN / GaN超晶格中间层在等离子体辅助分子束外延生长在Si(110)和Si(111)衬底上生长的GaN膜的应变工程中的作用
机译:超薄AIN / GaN超晶格中间层在等离子体辅助分子束外延生长在Si(110)和Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的应变工程中的作用
机译:低能离子束与分子束外延相结合在Si衬底上生长的Ge_(1-x)C_x薄膜的光学性质
机译:分子束外延在6个氢碳化硅衬底上生长的氧化镁纳米薄膜的工艺建模与化学计量分析
机译:RF-等离子体辅助氧化物分子束外延生长在石英玻璃基板上的VO2热致变色膜
机译:原子氢辅助分子束外延对氢原子辐照降低Si衬底上生长的β-FeSi2薄膜中残留载流子浓度的影响