cobalt compounds; rapid thermal annealing; titanium compounds; wafer-scale integration; 350 to 700 C; 9 nm; Co; Si; TiN; cobalt silicidation; cobalt silicide formation; process temperature; sheet resistance; single wafer rapid thermal furnace system; transition temper;
机译:单晶片快速热炉中的热处理
机译:各种Co / TiN和Co / Ti层堆叠以及自对准硅化物快速热处理条件对硅化钴形成的影响
机译:在铂 - 硅系统的快速热处理期间形成铂硅化物层:结构相变
机译:单晶圆快速热炉(SRTF)系统中硅化钴的形成特性
机译:单晶片快速热反应器中的建模和参数估计。
机译:单晶硅化钴纳米线的生长及其场发射特性
机译:通过热退火在Ni / Co / Si(1 0 0)系统中形成的镍和钴硅化物的研究
机译:快速热冲击速率对钛硅化物相变的影响