机译:栅极堆栈结构和过程缺陷对32nm技术节点PMOSFET中NBTI可靠性高kdielix依赖性的影响
机译:基于TIN / HF-硅酸盐的门架中的负偏置温度不稳定性
机译:TiN / Hf-硅酸盐基栅堆叠中衬底热电子应力下的深层缺陷陷阱
机译:与基于锡/ HF硅酸盐的栅极堆叠的PMOSFET中的NBTI效应
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:界面电荷对带有锡金属栅电极的纳米级Cmos生成的掺杂和未掺杂Hfox堆叠层的影响