机译:TiN / Hf-硅酸盐基栅堆叠中衬底热电子应力下的深层缺陷陷阱
Department of Electrical and Computer Engineering, New Jersey Institute of Technology, Newark, NJ 07102, USA;
机译:带有聚和TiN栅电极的Hf-硅酸盐电介质的陷获/去陷获栅偏置
机译:GaN基高电子迁移率晶体管中具有自热效应的电流崩解和栅极滞后在栅极边缘模型处捕获热电子的演示和动态分析
机译:基于TIN / HF-硅酸盐的门架中的负偏置温度不稳定性
机译:TiN / Hf-硅酸盐基栅堆叠中衬底热电子应力作用下的深层缺陷陷阱
机译:电荷陷阱对高k栅极堆叠中的迁移率和阈值电压不稳定性产生影响。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:在In0.7ga0.3as的不稳定性,用单层AL2O3和双层AL2O3 / HFO2栅极堆叠在正偏置温度(PBT)应力下引起的单层AL2O3和双层AL2O3 / HFO2堆叠