机译:栅极堆栈结构和过程缺陷对32nm技术节点PMOSFET中NBTI可靠性高kdielix依赖性的影响
机译:具有$ hbox {SiO} _ {2} / hbox {HfO} _ {2} $介电堆栈的SiGe和Ge沟道pMOSFET的NBTI可靠性
机译:使用低于90 nm CMOS技术节点的潜在低成本前端工艺原位制造金属栅/高k介电栅叠层
机译:栅极堆叠工艺对0.18μmPMOSFET导通和可靠性的影响
机译:从两阶段NBTI模型的角度评估亚阈值操作对32 nm技术节点PMOSFET的影响
机译:ITRS 70和50NM技术节点的包含高K栅极电介质和金属栅电极的器件的制造和评估。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:用于子22nm节点的高级CMOS技术(高K /金属栅极堆叠)
机译:利用喷雾干燥机ash制造的集料加工技术的商业演示,弗吉尼亚州乔治县,环境评估