bipolar diodes; OBIC; breakdown voltage; edge termination;
机译:结终端扩展保护的1.3 kV 6H-SiC p〜+ n平面双极二极管的OBIC分析
机译:1.7kV 4H-SiC PiN二极管的平面边缘端接设计和技术考虑
机译:10 kV 4H-SiC双极二极管的边缘端接设计改进
机译:平面1.6 kV 4H-SiC二极管不同边缘终端的OBIC分析
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:具有氩注入边缘端接的高压β-Ga2O3肖特基二极管
机译:大功率4H-SiC二极管的平面边缘终端和相关制造工艺技术