机译:10 kV 4H-SiC双极二极管的边缘端接设计改进
Ampere Laboratory, Universite de Lyon, INSA de Lyon, 69621 Villeurbanne Cedex, France;
Ampere Laboratory, Universite de Lyon, INSA de Lyon, 69621 Villeurbanne Cedex, France;
Ampere Laboratory, Universite de Lyon, INSA de Lyon, 69621 Villeurbanne Cedex, France;
Ampere Laboratory, Universite de Lyon, INSA de Lyon, 69621 Villeurbanne Cedex, France;
CNM-IMB-CSIC, Campus UAB 08193 Bellaterra-Barcelona, Spain;
CNM-IMB-CSIC, Campus UAB 08193 Bellaterra-Barcelona, Spain;
French-German Research Institute of St Louis, 68300 St Louis Cedex, Francel;
Ampere Laboratory, Universite de Lyon, INSA de Lyon, 69621 Villeurbanne Cedex, France;
4H-SiC; bipolar diode; edge termination; MESA; JTE; breakdown voltage; device simulation;
机译:1.7kV 4H-SiC PiN二极管的平面边缘端接设计和技术考虑
机译:具有FGR终端的10 kV 4H-SiC JBS二极管的开发
机译:双极激活的温度依赖性和10kV 4H-SiC JBS-二极管的漏电流
机译:10 kV 4H-SiC双极二极管的边缘终端设计改进
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:具有氩注入边缘端接的高压β-Ga2O3肖特基二极管
机译:大功率4H-SiC二极管的平面边缘终端和相关制造工艺技术
机译:第一批9.2 kV 4H-siC双极结型晶体管的演示。