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【2h】

Planar edge terminations and related manufacturing process technology for high power 4H-SiC diodes

机译：大功率4H-SiC二极管的平面边缘终端和相关制造工艺技术

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机译：可搜索的TDX LED

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作者
Pérez Rodríguez Raúl;
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年度 2006
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1. Planar Edge Termination Design and Technology Considerations for 1.7-kV 4H-SiC PiN Diodes [J] . Raul Perez, Dominique Tournier, Amador Perez-Tomas, IEEE Transactions on Electron Devices . 2005,第10期

机译：1.7kV 4H-SiC PiN二极管的平面边缘端接设计和技术考虑
2. Research on high-voltage 4H-SiC P-i-N diode with planar edge junction termination techniques [J] . Zhang Fa-Sheng, Li Xin-Ran 中国物理：英文版 . 2011,第006期

机译：采用平面边缘结终止技术的高压4H-SiC P-i-N二极管的研究
3. Research on high-voltage 4H-SiC P-i-N diode with planar edge junction termination techniques [J] . 张发生, 李欣然中国物理：英文版 . 2011,第006期

机译：采用平面边缘结终止技术的高压4H-SiC P-i-N二极管的研究
4. OBIC Analysis of Different Edge Terminations of Planar 1.6 kV 4H-SiC Diodes [C] . Christophe Raynaud, Daniel Loup, Philippe Godignon, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials . 2007

机译：平面1.6 kV 4H-SiC二极管不同边缘终端的OBIC分析
5. Development of high temperature diffusion technology for edge termination and switching behavior improvement of silicon carbide p-i-n diodes. [D] . Bolotnikov, Alexander V. 2008

机译：高温扩散技术的发展，用于改善碳化硅p-i-n二极管的边缘端接和开关性能。
6. High-Voltage β-Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination [O] . Yangyang Gao, Ang Li, Qian Feng, 2019

机译：具有氩注入边缘端接的高压β-Ga2O3肖特基二极管
7. Demonstration of High-power X-band Oscillation in p+/n-/n+ 4H-SiC IMPATT Diodes with Guard-ring Termination [O] . Ono S. A, Arai M. B, Kimura C. C 2015

机译：具有保护环终端的p + / n- / n + 4H-siC ImpaTT二极管中高功率X波段振荡的演示
8. Manufacturing Methods and Technology Engineering High Efficiency,High Power Gallium Arsenide Read-Type IMPATT Diodes. [R] . chalifour, h. r. steele, s. r. 1977

机译：制造方法和技术工程高效，高功率砷化镓读取型ImpaTT二极管。

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