ion implantation; process/device simulation; MESFET; Semi-insulating substrate;
机译:块状半绝缘4H-SiC中的全离子注入MESFET
机译:高纯度半绝缘衬底上4H-SiC MESFET的物理模拟和实验结果
机译:高纯度半绝缘衬底上4H-SiC MESFET的物理模拟和实验结果
机译:在半绝缘基板上改进离子植入的4H-SiC MESFET的电特性
机译:砷化镓晶体生长中缺陷,杂质和载体的特征及其对电性能,热稳定性和注入退火特性的影响。
机译:金属∕ GeO2 ∕ Ge结构中GeO解吸行为的评价及其电学特性的改进
机译:Ni / Ti / Al欧姆触点的电气特性与Al植入的P型4H-SiC
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较