机译:1.55-μmInGaAsP-InP激光器阵列,具有使用单外延生长制造的集成模式扩展器
机译:1.55- / splμ/ m InGaAsP-InP激光器阵列,具有使用单外延生长制造的集成模式扩展器
机译:将1.55μmInGaAsP / InP激光器掩埋在半绝缘InP衬底上的高电阻外延层中
机译:使用FESEM和集成SIMS型材在INP / IngaASP外延生长中InGaAs薄层的厚度和成分监测
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:通过液相外延将InP / IngaASP异质结构的外延层生长在异形的INP表面上
机译:Inp和InGaasp合金的液相外延生长