MBE; growth; diffusion; facet structure;
机译:GaAs(001)-(111)B刻面结构通过分子扩散外延在图案化衬底上的表面扩散转变
机译:纳米尺度生长中选择性外延的各向异性:通过分子束外延选择性生长在SiO_2图案(001)衬底上的GaAs纳米线
机译:分子束外延在微米和纳米级图案化的GaAs(001)衬底上生长InAs
机译:通过在图案化基板上的分子束外延期间通过表面扩散转化GaAs(001) - (111)的平面结构
机译:经受分子束外延生长的图案化砷化镓(001)表面的演变。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:错误:“GaAs图案基材的GaAs的分子束外延的”取向依赖性GA表面扩散“J。苹果。物理。 81,7273(1997)