机译:完全耗尽(FD)隐式源/漏(Re-S / D)SOI MOSFET的模拟和射频(RF)性能评估
机译:短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)UTB SOI MOSFET的阈值电压模型,包括衬底引起的表面电势效应
机译:薄栅氧化物全耗尽SOI n-MOSFET中性能下降的辐射源依赖性
机译:从DC到RF的新型全耗尽SOI MOSFET宏模型有效
机译:对SOI LDMOSFET的新型埋入式绝缘子材料和几何形状进行热分析,并获得电气性能的稳定性。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:全耗尽硅 - 绝缘体(SOI)G 4 -FET和门 - 全周(GAA)MOSFET的性能分析